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PS2561L-1-F3-W-A

PS2561L-1-F3-W-A

Nur als Referenz

Teilenummer PS2561L-1-F3-W-A
PNEDA Teilenummer PS2561L-1-F3-W-A_1E6
Beschreibung OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 5.562
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PS2561L-1-F3-W-A Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPS2561L-1-F3-W-A
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
PS2561L-1-F3-W-A, PS2561L-1-F3-W-A Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 311,66 KB)
PDFPS2561L-1-V-L-A Datenblatt Cover
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PS2561L-1-F3-W-A Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
SerieNEPOC
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)130% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)260% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)3µs, 5µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.17V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)80mA
Vce-Sättigung (max.)300mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket4-SMD

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

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4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

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Hersteller

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

1000VDC

Stromübertragungsverhältnis (min)

60% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20µs, 20µs (Max)

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

40mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

4N32SM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

CNY174

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

160% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.35V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

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