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PS2561L-1-F3-M-A

PS2561L-1-F3-M-A

Nur als Referenz

Teilenummer PS2561L-1-F3-M-A
PNEDA Teilenummer PS2561L-1-F3-M-A
Beschreibung OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD
Hersteller Renesas Electronics America
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PS2561L-1-F3-M-A Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPS2561L-1-F3-M-A
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
PS2561L-1-F3-M-A, PS2561L-1-F3-M-A Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 311,66 KB)
PDFPS2561L-1-V-L-A Datenblatt Cover
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PS2561L-1-F3-M-A Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
SerieNEPOC
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)80% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)240% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)3µs, 5µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.17V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)80mA
Vce-Sättigung (max.)300mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket4-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

600% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

7500% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

300µs, 250µs (Max)

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

80mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

13900VDC

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2.4µs, 2.7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

32V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

75mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-EDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

H11F1VM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

45µs, 45µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

MOSFET

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

H11A4W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

10% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.36V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

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