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PMZB290UNE,315

PMZB290UNE,315

Nur als Referenz

Teilenummer PMZB290UNE,315
PNEDA Teilenummer PMZB290UNE-315
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Hersteller Nexperia
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PMZB290UNE Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMZB290UNE,315
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMZB290UNE, PMZB290UNE Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.554,27 KB)
PDFPMZB290UNE Datenblatt Cover
PMZB290UNE Datenblatt Seite 2 PMZB290UNE Datenblatt Seite 3 PMZB290UNE Datenblatt Seite 4 PMZB290UNE Datenblatt Seite 5 PMZB290UNE Datenblatt Seite 6 PMZB290UNE Datenblatt Seite 7 PMZB290UNE Datenblatt Seite 8 PMZB290UNE Datenblatt Seite 9 PMZB290UNE Datenblatt Seite 10 PMZB290UNE Datenblatt Seite 11

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PMZB290UNE Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN1006B-3
Paket / Fall3-XFDFN

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

55W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STW6N90K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

STP4NK60ZFP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

580mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3757pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

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