Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PMV42ENER

PMV42ENER

Nur als Referenz

Teilenummer PMV42ENER
PNEDA Teilenummer PMV42ENER
Beschreibung MOSFET N-CH 30V TO-236AB
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMV42ENER Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMV42ENER
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMV42ENER, PMV42ENER Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 724,63 KB)
PDFPMV42ENER Datenblatt Cover
PMV42ENER Datenblatt Seite 2 PMV42ENER Datenblatt Seite 3 PMV42ENER Datenblatt Seite 4 PMV42ENER Datenblatt Seite 5 PMV42ENER Datenblatt Seite 6 PMV42ENER Datenblatt Seite 7 PMV42ENER Datenblatt Seite 8 PMV42ENER Datenblatt Seite 9 PMV42ENER Datenblatt Seite 10 PMV42ENER Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PMV42ENER Datasheet
  • where to find PMV42ENER
  • Nexperia

  • Nexperia PMV42ENER
  • PMV42ENER PDF Datasheet
  • PMV42ENER Stock

  • PMV42ENER Pinout
  • Datasheet PMV42ENER
  • PMV42ENER Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PMV42ENER Price
  • PMV42ENER Distributor

PMV42ENER Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds281pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236AB
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDD6612A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta), 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUM110P06-08L-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 272W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDS4780

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 10.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1686pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7425TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7980pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

GP1M020A060N

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2097pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

347W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

MB10S-13

MB10S-13

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

MAX31785ETL+T

MAX31785ETL+T

Maxim Integrated

IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 40TQFN

SP0503BAHTG

SP0503BAHTG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4

ADG5421BCPZ-RL7

ADG5421BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SWITCH SPST DUAL 10LFCSP

LNJ208R8ARA

LNJ208R8ARA

Panasonic Electronic Components

LED RED SS TYPE LED SMD

EPCQ64SI16N

EPCQ64SI16N

Intel

IC CONFIG DEVICE 64MBIT 16SOIC

5596101027F

5596101027F

Dialight

LED PMI SNAP-IN RED PVC FREE

MOCD207R2M

MOCD207R2M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

FC-12M 32.7680KA-A5

FC-12M 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD

SLA7026M

SLA7026M

Sanken

IC MTR DRV UNIPOLAR 10-44V 18ZIP

MBR130LSFT1G

MBR130LSFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123L