PMT200EPEX
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMT200EPEX |
| PNEDA Teilenummer | PMT200EPEX |
| Beschreibung | PMT200EPE/SOT223/SC-73 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 22 - Dez 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMT200EPEX Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMT200EPEX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PMT200EPEX Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 822pF @ 35V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-73 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller MICROSS/On Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 310mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 275mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.4nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
