PMPB13XNE,115
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| Teilenummer | PMPB13XNE,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMPB13XNE-115 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.168 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMPB13XNE Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMPB13XNE,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PMPB13XNE Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2195pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020MD-6 |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 90W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SMP-FD Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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