PMPB12UNEX
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMPB12UNEX |
| PNEDA Teilenummer | PMPB12UNEX |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 29.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMPB12UNEX Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMPB12UNEX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PMPB12UNEX Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 470mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020MD-6 |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PF Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack |
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