PMH600UNEH
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMH600UNEH |
| PNEDA Teilenummer | PMH600UNEH |
| Beschreibung | PMH600UNE/SOT8001/DFN0606-3 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 194.256 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMH600UNEH Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMH600UNEH |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PMH600UNEH Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 800mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 370mW (Ta), 2.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN0606-3 (SOT8001) |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220S Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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