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PMF170XP,115

PMF170XP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMF170XP,115
PNEDA Teilenummer PMF170XP-115
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Hersteller Nexperia
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PMF170XP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMF170XP,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMF170XP, PMF170XP Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 700,34 KB)
PDFPMF170XP Datenblatt Cover
PMF170XP Datenblatt Seite 2 PMF170XP Datenblatt Seite 3 PMF170XP Datenblatt Seite 4 PMF170XP Datenblatt Seite 5 PMF170XP Datenblatt Seite 6 PMF170XP Datenblatt Seite 7 PMF170XP Datenblatt Seite 8 PMF170XP Datenblatt Seite 9 PMF170XP Datenblatt Seite 10 PMF170XP Datenblatt Seite 11

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PMF170XP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-70
Paket / FallSC-70, SOT-323

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

210A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

209nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

NVHL080N120SC1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.3V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

348W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

Linear L2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

BSC094N03S G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.6A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

2SK3746-1E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P-3L

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

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