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PMF170XP,115

PMF170XP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMF170XP,115
PNEDA Teilenummer PMF170XP-115
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Hersteller Nexperia
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PMF170XP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMF170XP,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMF170XP, PMF170XP Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 700,34 KB)
PDFPMF170XP Datenblatt Cover
PMF170XP Datenblatt Seite 2 PMF170XP Datenblatt Seite 3 PMF170XP Datenblatt Seite 4 PMF170XP Datenblatt Seite 5 PMF170XP Datenblatt Seite 6 PMF170XP Datenblatt Seite 7 PMF170XP Datenblatt Seite 8 PMF170XP Datenblatt Seite 9 PMF170XP Datenblatt Seite 10 PMF170XP Datenblatt Seite 11

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PMF170XP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-70
Paket / FallSC-70, SOT-323

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMJ7N70SK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

351pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRL3716

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5090pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

2SK3746-1E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P-3L

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

STW38N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

NVHL080N120SC1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.3V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

348W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

MSS1P4-M3/89A

MSS1P4-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

SMCJ24A-13-F

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Diodes Incorporated

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Vishay Dale

RES 25 MOHM 1% 1/2W 1206

VESD05A1B-02V-G-08

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

BLM18PG121SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

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Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

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Powerex Inc.

DIODE GP 600V 100A POWRBLOK

0451004.MR

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

E-TEA3717DP

E-TEA3717DP

STMicroelectronics

IC MOTOR DRVR BIPOLAR 16POWERDIP

LTST-C191KRKT

LTST-C191KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

C0805C102K2GECAUTO

C0805C102K2GECAUTO

KEMET

CAP CER 0805 1NF 200V C0G 10%