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PMEG40T10ERX

PMEG40T10ERX

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG40T10ERX
PNEDA Teilenummer PMEG40T10ERX
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 78.216
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMEG40T10ERX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG40T10ERX
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG40T10ERX, PMEG40T10ERX Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 223,41 KB)
PDFPMEG40T10ERX Datenblatt Cover
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PMEG40T10ERX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If400mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)11.5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr22µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.350pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123W
LieferantengerätepaketSOD-123W
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

350mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3300V

Current - Average Rectified (Io)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 300mA

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 3300V

Kapazität @ Vr, F.

42pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

APT30DQ120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.3V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

320ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

DSB0.5A30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

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