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PMEG4002EB,115

PMEG4002EB,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG4002EB,115
PNEDA Teilenummer PMEG4002EB-115
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 1.472.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMEG4002EB Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG4002EB,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG4002EB, PMEG4002EB Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 640,01 KB)
PDFPMEG4002EB Datenblatt Cover
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PMEG4002EB Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If600mV @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 25V
Kapazität @ Vr, F.20pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-79, SOD-523
LieferantengerätepaketSOD-523
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

600mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 600mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

NXPSC04650DJ

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 4A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

170µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

130pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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