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PMEG3050BEP,115

PMEG3050BEP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG3050BEP,115
PNEDA Teilenummer PMEG3050BEP-115
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 5A SOD128
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 335.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMEG3050BEP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG3050BEP,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG3050BEP, PMEG3050BEP Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 232,36 KB)
PDFPMEG3050BEP Datenblatt Cover
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PMEG3050BEP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If450mV @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.800pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-128
LieferantengerätepaketCFP5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

SlimDPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SBRD8350G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

R25100

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Hersteller

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Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Powerex Inc.

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-

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Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

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