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PMEG1030EJ,115

PMEG1030EJ,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG1030EJ,115
PNEDA Teilenummer PMEG1030EJ-115
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323F
Hersteller Nexperia
Stückpreis
1 ---------- $41,1695
100 ---------- $39,2397
250 ---------- $37,3099
500 ---------- $35,3801
750 ---------- $33,7719
1.000 ---------- $32,1637
Auf Lager 82.155
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PMEG1030EJ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG1030EJ,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG1030EJ, PMEG1030EJ Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 698,39 KB)
PDFPMEG1030EH Datenblatt Cover
PMEG1030EH Datenblatt Seite 2 PMEG1030EH Datenblatt Seite 3 PMEG1030EH Datenblatt Seite 4 PMEG1030EH Datenblatt Seite 5 PMEG1030EH Datenblatt Seite 6 PMEG1030EH Datenblatt Seite 7 PMEG1030EH Datenblatt Seite 8 PMEG1030EH Datenblatt Seite 9

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PMEG1030EJ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)10V
Current - Average Rectified (Io)3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If530mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr3mA @ 10V
Kapazität @ Vr, F.85pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-90, SOD-323F
LieferantengerätepaketSOD-323F
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

910mV @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

MBR8060R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 160°C

SRT15HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

NUR460P,133

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

1N3613

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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