PMEG100V060ELPDZ
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| Teilenummer | PMEG100V060ELPDZ |
| PNEDA Teilenummer | PMEG100V060ELPDZ |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 6A CFP15 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.116 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMEG100V060ELPDZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMEG100V060ELPDZ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
PMEG100V060ELPDZ, PMEG100V060ELPDZ Datenblatt
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PMEG100V060ELPDZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 8ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 450nA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 200pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | CFP15 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 10000V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 28V @ 800mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 10000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AD Lieferantengerätepaket MicroSMP (DO-219AD) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 140mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 580mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 1.5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB (DO-214AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
