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PMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ

Nur als Referenz

Teilenummer PMCXB1000UEZ
PNEDA Teilenummer PMCXB1000UEZ
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 4.302
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PMCXB1000UEZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMCXB1000UEZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMCXB1000UEZ, PMCXB1000UEZ Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 775,81 KB)
PDFPMCXB1000UEZ Datenblatt Cover
PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 2 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 3 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 4 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 5 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 6 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 7 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 8 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 9 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 10 PMCXB1000UEZ Datenblatt Seite 11

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PMCXB1000UEZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Leistung - max285mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010B-6

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

885pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Leistung - max

3.1W (Ta), 28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

DMS3019SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V

Leistung - max

1.19W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

APTM60A23FT1G

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5316pF @ 25V

Leistung - max

208W

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