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PI5101-01-LGIZ

PI5101-01-LGIZ

Nur als Referenz

Teilenummer PI5101-01-LGIZ
PNEDA Teilenummer PI5101-01-LGIZ
Beschreibung MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
Hersteller Vicor
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PI5101-01-LGIZ Ressourcen

Marke Vicor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPI5101-01-LGIZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PI5101-01-LGIZ, PI5101-01-LGIZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 924,16 KB)
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PI5101-01-LGIZ Technische Daten

HerstellerVicor Corporation
SeriePicor® µRDS(on)FET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)5V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)3.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.45mOhm @ 60A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 4.5V
Vgs (Max)±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7600pF @ 5V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket3-LGA (4.1x8)
Paket / Fall3-FLGA

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

AOB2606L

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 72A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4050pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVTP2955G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

FDS7096N3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1587pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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