PHX20N06T,127
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| Teilenummer | PHX20N06T,127 |
| PNEDA Teilenummer | PHX20N06T-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.014 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PHX20N06T Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PHX20N06T,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PHX20N06T Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 23W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3686pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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