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PHPT610030NPKX

PHPT610030NPKX

Nur als Referenz

Teilenummer PHPT610030NPKX
PNEDA Teilenummer PHPT610030NPKX
Beschreibung TRANS NPN/PNP 100V 3A 8LFPAK
Hersteller Nexperia
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PHPT610030NPKX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPHPT610030NPKX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
PHPT610030NPKX, PHPT610030NPKX Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 770,49 KB)
PDFPHPT610030NPKX Datenblatt Cover
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PHPT610030NPKX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)100V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 1A, 10V
Leistung - max1.25W
Frequenz - Übergang140MHz, 125MHz
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1205, 8-LFPAK56
LieferantengerätepaketLFPAK56D

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 2V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP

2N6989

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

TO-116

FFB2227A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

JAN2N6989

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/559

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

TO-116

BC857BV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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