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PHP73N06T,127

PHP73N06T,127

Nur als Referenz

Teilenummer PHP73N06T,127
PNEDA Teilenummer PHP73N06T-127
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 73A TO220AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.546
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PHP73N06T Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPHP73N06T,127
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PHP73N06T, PHP73N06T Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 260,89 KB)
PDFPHP73N06T Datenblatt Cover
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PHP73N06T Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.73A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2464pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)166W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTLUS3192PZTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (1.6x1.6)

Paket / Fall

6-PowerUFDFN

TPCA8005-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1395pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SI2356DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STW90NF20

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

83A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

164nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5736pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-247-3

IRF820STRLPBF

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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