PHE13009/DG,127
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| Teilenummer | PHE13009/DG,127 |
| PNEDA Teilenummer | PHE13009-DG-127 |
| Beschreibung | TRANS NPN 400V 12A TO220AB |
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.994 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PHE13009/DG Ressourcen
| Marke | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PHE13009/DG,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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PHE13009/DG Technische Daten
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 1.6A, 8A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 8 @ 5A, 5V |
| Leistung - max | 80W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 130MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
