Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PDTD123YK,115

PDTD123YK,115

Nur als Referenz

Teilenummer PDTD123YK,115
PNEDA Teilenummer PDTD123YK-115
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Hersteller NXP
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.156
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTD123YK Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTD123YK,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTD123YK, PDTD123YK Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 241,68 KB)
PDFPDTD123YK Datenblatt Cover
PDTD123YK Datenblatt Seite 2 PDTD123YK Datenblatt Seite 3 PDTD123YK Datenblatt Seite 4 PDTD123YK Datenblatt Seite 5 PDTD123YK Datenblatt Seite 6 PDTD123YK Datenblatt Seite 7 PDTD123YK Datenblatt Seite 8 PDTD123YK Datenblatt Seite 9 PDTD123YK Datenblatt Seite 10 PDTD123YK Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PDTD123YK,115 Datasheet
  • where to find PDTD123YK,115
  • NXP

  • NXP PDTD123YK,115
  • PDTD123YK,115 PDF Datasheet
  • PDTD123YK,115 Stock

  • PDTD123YK,115 Pinout
  • Datasheet PDTD123YK,115
  • PDTD123YK,115 Supplier

  • NXP Distributor
  • PDTD123YK,115 Price
  • PDTD123YK,115 Distributor

PDTD123YK Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSMT3; MPAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PDTC143XM,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

DFN1006-3

RN2103,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PDTA114YU,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

DTC043ZEBTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

EMT3F (SOT-416FL)

UNR9116G0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3

Kürzlich verkauft

LM393DR

LM393DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.8MA 8-SOIC

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

MAX9011EUT+T

MAX9011EUT+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL SOT23-6

AK4458VN

AK4458VN

AKM Semiconductor Inc.

IC DAC/AUDIO 32BIT 768K 48QFN

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

MC68060RC50

MC68060RC50

NXP

IC MPU M680X0 50MHZ 206PGA

EVQ-PAC09K

EVQ-PAC09K

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

BC848BLT3G

BC848BLT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

AD8603AUJZ-REEL7

AD8603AUJZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT TSOT5

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

SP3232EEN-L

SP3232EEN-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC