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PDTD113ZT,215

PDTD113ZT,215

Nur als Referenz

Teilenummer PDTD113ZT,215
PNEDA Teilenummer PDTD113ZT-215
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 177.264
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTD113ZT Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTD113ZT,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

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PDTD113ZT Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G3-B

DDTA114TCA-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

PDTC114EMB,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

230MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

140MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-SC-75

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