Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PDTC123TT,235

PDTC123TT,235

Nur als Referenz

Teilenummer PDTC123TT,235
PNEDA Teilenummer PDTC123TT-235
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTC123TT Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTC123TT,235
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTC123TT, PDTC123TT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 580,52 KB)
PDFPDTC123TE Datenblatt Cover
PDTC123TE Datenblatt Seite 2 PDTC123TE Datenblatt Seite 3 PDTC123TE Datenblatt Seite 4 PDTC123TE Datenblatt Seite 5 PDTC123TE Datenblatt Seite 6 PDTC123TE Datenblatt Seite 7 PDTC123TE Datenblatt Seite 8 PDTC123TE Datenblatt Seite 9 PDTC123TE Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PDTC123TT,235 Datasheet
  • where to find PDTC123TT,235
  • Nexperia

  • Nexperia PDTC123TT,235
  • PDTC123TT,235 PDF Datasheet
  • PDTC123TT,235 Stock

  • PDTC123TT,235 Pinout
  • Datasheet PDTC123TT,235
  • PDTC123TT,235 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PDTC123TT,235 Price
  • PDTC123TT,235 Distributor

PDTC123TT Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FJX4005RTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70 (SOT323)

DTC115EETL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

EMT3

DDTC113ZE-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

DTD123ECT116

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

39 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

DDTC114GE-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

Kürzlich verkauft

MCP73862T-I/SL

MCP73862T-I/SL

Microchip Technology

IC LI-ION CTRLR 8.2/8.4V 16SOIC

PVG612ASPBF

PVG612ASPBF

Infineon Technologies

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

CY62187EV30LL-55BAXI

CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

BAT41ZFILM

BAT41ZFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD123

IXFX180N10

IXFX180N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247

NCP2820FCT1G

NCP2820FCT1G

ON Semiconductor

IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

AZ23C5V6-7-F

AZ23C5V6-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3

SMBJ45A-E3/52

SMBJ45A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 45V 72.7V DO214AA

2744045447

2744045447

Fair-Rite Products

CMC 5A 2LN 60 OHM SMD

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 40A TO252