Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PDTC123TMB,315

PDTC123TMB,315

Nur als Referenz

Teilenummer PDTC123TMB,315
PNEDA Teilenummer PDTC123TMB-315
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.842
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 4 - Jul 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTC123TMB Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTC123TMB,315
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTC123TMB, PDTC123TMB Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 726,59 KB)
PDFPDTC123TMB Datenblatt Cover
PDTC123TMB Datenblatt Seite 2 PDTC123TMB Datenblatt Seite 3 PDTC123TMB Datenblatt Seite 4 PDTC123TMB Datenblatt Seite 5 PDTC123TMB Datenblatt Seite 6 PDTC123TMB Datenblatt Seite 7 PDTC123TMB Datenblatt Seite 8 PDTC123TMB Datenblatt Seite 9 PDTC123TMB Datenblatt Seite 10 PDTC123TMB Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PDTC123TMB,315 Datasheet
  • where to find PDTC123TMB,315
  • Nexperia

  • Nexperia PDTC123TMB,315
  • PDTC123TMB,315 PDF Datasheet
  • PDTC123TMB,315 Stock

  • PDTC123TMB,315 Pinout
  • Datasheet PDTC123TMB,315
  • PDTC123TMB,315 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PDTC123TMB,315 Price
  • PDTC123TMB,315 Distributor

PDTC123TMB Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang230MHz
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-XFDFN
LieferantengerätepaketDFN1006B-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BCR141WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

130MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

UNR9118J0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

510 Ohms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

5.1 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F1

DTA143EKA-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3L

DDTA124XCA-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

DTA124TETL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

EMT3

Kürzlich verkauft

AT90S1200-4SC

AT90S1200-4SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN

74ACT32SC

74ACT32SC

ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

SP3232EEN-L/TR

SP3232EEN-L/TR

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

HDLO-3416

HDLO-3416

Broadcom

DISPLAY 5X7 0.27"" 4CHAR RED

PVG612ASPBF

PVG612ASPBF

Infineon Technologies

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

SI7232DN-T1-GE3

SI7232DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8