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PDTA123JQAZ

PDTA123JQAZ

Nur als Referenz

Teilenummer PDTA123JQAZ
PNEDA Teilenummer PDTA123JQAZ
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 8.334
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 5 - Apr 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTA123JQAZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTA123JQAZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTA123JQAZ, PDTA123JQAZ Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 2.790,34 KB)
PDFPDTA143ZQAZ Datenblatt Cover
PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 2 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 3 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 4 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 5 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 6 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 7 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 8 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 9 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 10 PDTA143ZQAZ Datenblatt Seite 11

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PDTA123JQAZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang180MHz
Leistung - max280mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-XDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010D-3

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-75, SOT-416

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

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