PDTA113ZMB,315
Nur als Referenz
| Teilenummer | PDTA113ZMB,315 |
| PNEDA Teilenummer | PDTA113ZMB-315 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PDTA113ZMB Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PDTA113ZMB,315 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PDTA113ZMB Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
| Frequenz - Übergang | 180MHz |
| Leistung - max | 250mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | DFN1006B-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 500mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 202mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 50mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket CST3 |
