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PD84008L-E

PD84008L-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD84008L-E
PNEDA Teilenummer PD84008L-E
Beschreibung FET RF 25V 870MHZ
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PD84008L-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD84008L-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD84008L-E, PD84008L-E Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 198,55 KB)
PDFPD84008L-E Datenblatt Cover
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PD84008L-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz870MHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest7.5V
Nennstrom (Ampere)7A
Rauschzahl-
Stromtest250mA
Leistung - Leistung2W
Spannung - Nennspannung25V
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFLAT™ (5x5)

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

10dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

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-

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Frequenz

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Gewinn

15.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

55mA

Rauschzahl

0.4dB

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

10.5dBm

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-70-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.6GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

160mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.92GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

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