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PD57018S-E

PD57018S-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD57018S-E
PNEDA Teilenummer PD57018S-E
Beschreibung FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 10.548
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PD57018S-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD57018S-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD57018S-E, PD57018S-E Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 958,94 KB)
PDFPD57018STR-E Datenblatt Cover
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PD57018S-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz945MHz
Gewinn16.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)2.5A
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung18W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallPowerSO-10 Exposed Bottom Pad
LieferantengerätepaketPowerSO-10RF (Straight Lead)

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

520MHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

31W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2 GULL

CLF1G0060S-10U

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

SOT-1227B

Lieferantengerätepaket

SOT-1227B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

140mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

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