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PD54008TR-E

PD54008TR-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD54008TR-E
PNEDA Teilenummer PD54008TR-E
Beschreibung TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Hersteller STMicroelectronics
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PD54008TR-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD54008TR-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD54008TR-E, PD54008TR-E Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 507,8 KB)
PDFPD54008-E Datenblatt Cover
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PD54008TR-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz500MHz
Gewinn11.5dB
Spannungstest7.5V
Nennstrom (Ampere)5A
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung8W
Spannung - Nennspannung25V
Paket / FallPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
LieferantengerätepaketPowerSO-10RF (Formed Lead)

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

NI-360H-2SB

Lieferantengerätepaket

NI-360H-2SB

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

48W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.98GHz ~ 2.01GHz

Gewinn

14.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

PD57006-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

112V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

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