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PC3H710NIP1B

PC3H710NIP1B

Nur als Referenz

Teilenummer PC3H710NIP1B
PNEDA Teilenummer PC3H710NIP1B
Beschreibung OPTOISO 2.5KV TRANS MINI-FLAT
Hersteller Sharp Microelectronics
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Auf Lager 7.686
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PC3H710NIP1B Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPC3H710NIP1B
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
PC3H710NIP1B, PC3H710NIP1B Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 185,98 KB)
PDFPC3H712NIP1B Datenblatt Cover
PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 2 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 3 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 4 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 5 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 6 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 7 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 8 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 9 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 10 PC3H712NIP1B Datenblatt Seite 11

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PC3H710NIP1B Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation2500Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)-
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)4µs, 3µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)10mA
Vce-Sättigung (max.)200mV
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket4-Mini-Flat

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Hersteller

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

8.5µs, 95µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

EL817(S1)(B)(TU)-VG

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

260% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

6µs, 8µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

H11AV1SR2VM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

15µs, 15µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

H11A3-V

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

160% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

8µs, 7.5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

55V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

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