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PC28F256G18AF TR

PC28F256G18AF TR

Nur als Referenz

Teilenummer PC28F256G18AF TR
PNEDA Teilenummer PC28F256G18AF-TR
Beschreibung IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 4.752
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PC28F256G18AF TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPC28F256G18AF TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
PC28F256G18AF TR, PC28F256G18AF TR Datenblatt (Total Pages: 117, Größe: 1.322,66 KB)
PDFPC28F512G18FE Datenblatt Cover
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PC28F256G18AF TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieStrataFlash™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite96ns
Zugriffszeit96ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-TBGA
Lieferantengerätepaket64-EasyBGA (8x10)

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Silicon Motion, Inc.

Serie

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Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT49H32M18SJ-25E:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1526KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (8M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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