PBSS5260PAP,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBSS5260PAP,115 |
| PNEDA Teilenummer | PBSS5260PAP-115 |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PBSS5260PAP Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBSS5260PAP,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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PBSS5260PAP Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 510mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUSON-EP (2x2) |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 125mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket W-DFN3020-8 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SM6 |
