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PBSS4360XF

PBSS4360XF

Nur als Referenz

Teilenummer PBSS4360XF
PNEDA Teilenummer PBSS4360XF
Beschreibung PBSS4360X/SOT89/MPT3
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 4.392
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBSS4360XF Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBSS4360XF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
PBSS4360XF, PBSS4360XF Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 248,86 KB)
PDFPBSS4360XF Datenblatt Cover
PBSS4360XF Datenblatt Seite 2 PBSS4360XF Datenblatt Seite 3 PBSS4360XF Datenblatt Seite 4 PBSS4360XF Datenblatt Seite 5 PBSS4360XF Datenblatt Seite 6 PBSS4360XF Datenblatt Seite 7 PBSS4360XF Datenblatt Seite 8 PBSS4360XF Datenblatt Seite 9 PBSS4360XF Datenblatt Seite 10 PBSS4360XF Datenblatt Seite 11

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PBSS4360XF Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 1A, 5V
Leistung - max1.35W
Frequenz - Übergang75MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 2V

Leistung - max

10W

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

I-PAK

BC817K-16VL

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

240MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-72 Formed Leads

Lieferantengerätepaket

SPT

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 5V

Leistung - max

20W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

175V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

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