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PBSS4350Z,135

PBSS4350Z,135

Nur als Referenz

Teilenummer PBSS4350Z,135
PNEDA Teilenummer PBSS4350Z-135
Beschreibung TRANS NPN 50V 3A SOT223
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 129.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBSS4350Z Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBSS4350Z,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
PBSS4350Z, PBSS4350Z Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 221,62 KB)
PDFPBSS4350Z Datenblatt Cover
PBSS4350Z Datenblatt Seite 2 PBSS4350Z Datenblatt Seite 3 PBSS4350Z Datenblatt Seite 4 PBSS4350Z Datenblatt Seite 5 PBSS4350Z Datenblatt Seite 6 PBSS4350Z Datenblatt Seite 7 PBSS4350Z Datenblatt Seite 8 PBSS4350Z Datenblatt Seite 9 PBSS4350Z Datenblatt Seite 10 PBSS4350Z Datenblatt Seite 11

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PBSS4350Z Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic290mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSC-73

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

800V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 400mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 4V

Leistung - max

75W

Frequenz - Übergang

6MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

JAN2N5416UA

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/485

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Leistung - max

750mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

BC80725WE6327BTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

2SD2153T100W

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 20mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

820 @ 500mA, 6V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

110MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

MPT3

FMMTA14TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

900mV @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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