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PBSS4350D,125

PBSS4350D,125

Nur als Referenz

Teilenummer PBSS4350D,125
PNEDA Teilenummer PBSS4350D-125
Beschreibung TRANS NPN 50V 3A 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 21.690
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBSS4350D Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBSS4350D,125
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
PBSS4350D, PBSS4350D Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 498,81 KB)
PDFPBSS4350D Datenblatt Cover
PBSS4350D Datenblatt Seite 2 PBSS4350D Datenblatt Seite 3 PBSS4350D Datenblatt Seite 4 PBSS4350D Datenblatt Seite 5 PBSS4350D Datenblatt Seite 6 PBSS4350D Datenblatt Seite 7 PBSS4350D Datenblatt Seite 8 PBSS4350D Datenblatt Seite 9 PBSS4350D Datenblatt Seite 10

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PBSS4350D Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic290mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
Leistung - max750mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

JANTXV2N3749

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/315

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

TO-111-4, Stud

Lieferantengerätepaket

TO-111

BC818K16WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

STN851

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 2A, 1V

Leistung - max

1.6W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

BDT60-S

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

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RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

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AD5934YRSZ

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XC7Z045-2FFG676I

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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