PBSS305NX,115
Nur als Referenz
Teilenummer | PBSS305NX,115 |
PNEDA Teilenummer | PBSS305NX-115 |
Beschreibung | TRANS NPN 80V 4.6A SOT89 |
Hersteller | Nexperia |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 243.138 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PBSS305NX Ressourcen
Marke | Nexperia |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | PBSS305NX,115 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt |
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PBSS305NX Technische Daten
Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Serie | - |
Transistortyp | NPN |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4.6A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 230mA, 4.6A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 2A, 2V |
Leistung - max | 2.1W |
Frequenz - Übergang | 110MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-243AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-89 |
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Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 145MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SC-73 |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92MOD |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SOT-523F |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V Leistung - max 65W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V Leistung - max 1.68W Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |