PBRN113ES,126
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBRN113ES,126 |
| PNEDA Teilenummer | PBRN113ES-126 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PBRN113ES Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBRN113ES,126 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PBRN113ES Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 700mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 180MHz Leistung - max 280mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010D-3 |
