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OPIA2210DTUE

OPIA2210DTUE

Nur als Referenz

Teilenummer OPIA2210DTUE
PNEDA Teilenummer OPIA2210DTUE
Beschreibung OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller TT Electronics/Optek Technology
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

OPIA2210DTUE Ressourcen

Marke TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerOPIA2210DTUE
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
OPIA2210DTUE, OPIA2210DTUE Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 2.038,21 KB)
PDFOPIA500BTR Datenblatt Cover
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OPIA2210DTUE Technische Daten

HerstellerTT Electronics/Optek Technology
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)50% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)600% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)2µs, 3µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)350V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

1000% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

100V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

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Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.17V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

Hersteller

CEL

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

150% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

40µs, 120µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 10µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

40mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

250% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

50V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

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