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OPB707A

OPB707A

Nur als Referenz

Teilenummer OPB707A
PNEDA Teilenummer OPB707A
Beschreibung SENSR OPTO TRANS 1.27MM REFL PCB
Hersteller TT Electronics/Optek Technology
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Auf Lager 21.036
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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OPB707A Ressourcen

Marke TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerOPB707A
KategorieSensorenOptische SensorenOptische Sensoren - Reflektierend - Analogausgang
Datenblatt
OPB707A, OPB707A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 1.001,45 KB)
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OPB707A Technische Daten

HerstellerTT Electronics/Optek Technology
Serie-
Erfassungsabstand0.050" (1.27mm)
ErfassungsmethodeReflective
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)125mA
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
AusgabetypPhotodarlington
Reaktionszeit-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallPCB Mount

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Hersteller

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

Serie

-

Erfassungsabstand

0.050" (1.27mm)

Erfassungsmethode

Reflective

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Ausgabetyp

Phototransistor

Reaktionszeit

15µs, 15µs

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Erfassungsabstand

0.028" (0.7mm)

Erfassungsmethode

Reflective

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Ausgabetyp

Phototransistor

Reaktionszeit

20µs

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, No Lead

RPR-220PC30N

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Erfassungsabstand

0.236" (6mm)

Erfassungsmethode

Reflective

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

30mA

Ausgabetyp

Phototransistor

Reaktionszeit

10µs

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP Module

ITR8307/F43

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Erfassungsabstand

0.039" (1mm)

Erfassungsmethode

Reflective

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Ausgabetyp

Phototransistor

Reaktionszeit

20µs, 20µs

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.157", 4.00mm)

QRE1113

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Erfassungsabstand

0.197" (5mm)

Erfassungsmethode

Reflective

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Ausgabetyp

Phototransistor

Reaktionszeit

20µs, 20µs

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.157", 4.00mm)

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