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NXPSC08650DJ

NXPSC08650DJ

Nur als Referenz

Teilenummer NXPSC08650DJ
PNEDA Teilenummer NXPSC08650DJ
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 4.878
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NXPSC08650DJ Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNXPSC08650DJ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
NXPSC08650DJ, NXPSC08650DJ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 272,44 KB)
PDFNXPSC08650DJ Datenblatt Cover
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NXPSC08650DJ Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)650V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 8A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr230µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F.260pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

600mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 600mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SF18M-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (HSMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

V3FM12HM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

940mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

220pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

1N3289

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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