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NXH80T120L2Q0SG

NXH80T120L2Q0SG

Nur als Referenz

Teilenummer NXH80T120L2Q0SG
PNEDA Teilenummer NXH80T120L2Q0SG
Beschreibung MODULE PIM 80A 1200V PIM20
Hersteller ON Semiconductor
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NXH80T120L2Q0SG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNXH80T120L2Q0SG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
NXH80T120L2Q0SG, NXH80T120L2Q0SG Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 303,05 KB)
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NXH80T120L2Q0SG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationT-Type
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65A
Leistung - max146W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 80A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.99nF @ 20V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallModule
Lieferantengerätepaket20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

4100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

120nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP7G50US60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.92nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EPM7

Lieferantengerätepaket

EPM7

FF1800R17IP5PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3+

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3600A

Leistung - max

1800000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 1800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

105nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG5U75HF06A

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

POWIR® 34

MG17300D-BN4MM

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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D3

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