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NX138BKVL

NX138BKVL

Nur als Referenz

Teilenummer NX138BKVL
PNEDA Teilenummer NX138BKVL
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.700
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NX138BKVL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNX138BKVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NX138BKVL, NX138BKVL Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 728,58 KB)
PDFNX138BKVL Datenblatt Cover
NX138BKVL Datenblatt Seite 2 NX138BKVL Datenblatt Seite 3 NX138BKVL Datenblatt Seite 4 NX138BKVL Datenblatt Seite 5 NX138BKVL Datenblatt Seite 6 NX138BKVL Datenblatt Seite 7 NX138BKVL Datenblatt Seite 8 NX138BKVL Datenblatt Seite 9 NX138BKVL Datenblatt Seite 10 NX138BKVL Datenblatt Seite 11

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NX138BKVL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.265mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.49nC @ 30V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20.2pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236AB
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchT4™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

270A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

182nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

2200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247HV

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

SSM3J14TTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSII

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

413pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSM

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFP240

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRLR3103TRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

ADP1613ARMZ-R7

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Analog Devices

IC REG BST SEPIC ADJ 2A 8MSOP

AT49F040-12TI

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Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

PCF8566T/1,118

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NXP

IC LCD DVR UNVRSL LOW-MUX 40VSOP

SMAJ36A

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Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

SI4836DY-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

ADP122AUJZ-3.3-R7

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Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 300MA TSOT5

SI3420A-TP

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Micro Commercial Co

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

PI6C49X0204CWIE

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Diodes Incorporated

IC CLOCK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC

TPSC107K010R0200

TPSC107K010R0200

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

MCP1826-3302E/ET

MCP1826-3302E/ET

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 1A 5DDPAK

MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

TAJA105K016RNJ

TAJA105K016RNJ

CAP TANT 1UF 10% 16V 1206