Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVTFS6H860NTAG

NVTFS6H860NTAG

Nur als Referenz

Teilenummer NVTFS6H860NTAG
PNEDA Teilenummer NVTFS6H860NTAG
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 8WDFN
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.780
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 22 - Jun 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVTFS6H860NTAG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVTFS6H860NTAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVTFS6H860NTAG, NVTFS6H860NTAG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 138,36 KB)
PDFNVTFS6H860NWFTAG Datenblatt Cover
NVTFS6H860NWFTAG Datenblatt Seite 2 NVTFS6H860NWFTAG Datenblatt Seite 3 NVTFS6H860NWFTAG Datenblatt Seite 4 NVTFS6H860NWFTAG Datenblatt Seite 5 NVTFS6H860NWFTAG Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVTFS6H860NTAG Datasheet
  • where to find NVTFS6H860NTAG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVTFS6H860NTAG
  • NVTFS6H860NTAG PDF Datasheet
  • NVTFS6H860NTAG Stock

  • NVTFS6H860NTAG Pinout
  • Datasheet NVTFS6H860NTAG
  • NVTFS6H860NTAG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVTFS6H860NTAG Price
  • NVTFS6H860NTAG Distributor

NVTFS6H860NTAG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AUIRFSA8409-7P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

523A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.69mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

460nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13975pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK (7-Lead)

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

CSD25481F4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 500mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.913nC @ 4.5V

Vgs (Max)

-12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

189pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-PICOSTAR

Paket / Fall

3-XFDFN

FDD306P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

52W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSZ120P03NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 73µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3360pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TSDSON-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

R6009JNXC7G

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

585mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 1.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 15V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

53W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FM

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

HEF4538BT,653

HEF4538BT,653

Nexperia

IC MONO MULTIVBRTOR DUAL 16SOIC

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

AS5163-HTSM

AS5163-HTSM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

74VHC14MTCX

74VHC14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

0217005.MXP

0217005.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

MAX9910EXK+T

MAX9910EXK+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5

EN5339QI

EN5339QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.6V 14W

GCM1885C1H6R8BA16D

GCM1885C1H6R8BA16D

Murata

CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603

BLM41PG102SN1L

BLM41PG102SN1L

Murata

FERRITE BEAD 1 KOHM 1806 1LN

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD

VRF150MP

VRF150MP

Microsemi

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174