Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVTFS4C06NWFTWG

NVTFS4C06NWFTWG

Nur als Referenz

Teilenummer NVTFS4C06NWFTWG
PNEDA Teilenummer NVTFS4C06NWFTWG
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 8 - Nov 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVTFS4C06NWFTWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVTFS4C06NWFTWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVTFS4C06NWFTWG, NVTFS4C06NWFTWG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 140,83 KB)
PDFNVTFS4C06NWFTWG Datenblatt Cover
NVTFS4C06NWFTWG Datenblatt Seite 2 NVTFS4C06NWFTWG Datenblatt Seite 3 NVTFS4C06NWFTWG Datenblatt Seite 4 NVTFS4C06NWFTWG Datenblatt Seite 5 NVTFS4C06NWFTWG Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVTFS4C06NWFTWG Datasheet
  • where to find NVTFS4C06NWFTWG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVTFS4C06NWFTWG
  • NVTFS4C06NWFTWG PDF Datasheet
  • NVTFS4C06NWFTWG Stock

  • NVTFS4C06NWFTWG Pinout
  • Datasheet NVTFS4C06NWFTWG
  • NVTFS4C06NWFTWG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVTFS4C06NWFTWG Price
  • NVTFS4C06NWFTWG Distributor

NVTFS4C06NWFTWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1683pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Fall8-PowerWDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXTH12N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

HUFA75321S3S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

93W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDPF18N50T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

265mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

CEDM8004 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.88nC @ 4.5V

Vgs (Max)

8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-883VL

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Kürzlich verkauft

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

ADP1763ACPZ-R7

ADP1763ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 16LFCSP

LT8645SEV#PBF

LT8645SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 32LQFN

MTFC8GACAAAM-4M IT

MTFC8GACAAAM-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH EMMC 64G

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

74HCT4052D,118

74HCT4052D,118

Nexperia

IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16SOIC

HX5008NL

HX5008NL

Pulse Electronics Network

MODULE SINGLE GIGABIT LAN 24SOIC

SUCS62405C

SUCS62405C

Cosel

DC DC CONVERTER 5V

SMAJ6.0A

SMAJ6.0A

Bourns

TVS DIODE 6V 10.3V SMA

IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

BZT52C8V2S-7-F

BZT52C8V2S-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

PIC18F1220-I/SO

PIC18F1220-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC