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NVMYS014N06CLTWG

NVMYS014N06CLTWG

Nur als Referenz

Teilenummer NVMYS014N06CLTWG
PNEDA Teilenummer NVMYS014N06CLTWG
Beschreibung FET NCH 60V 42A
Hersteller ON Semiconductor
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NVMYS014N06CLTWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMYS014N06CLTWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVMYS014N06CLTWG, NVMYS014N06CLTWG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 199,07 KB)
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NVMYS014N06CLTWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds620pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket4-LFPAK
Paket / FallSOT-1023, 4-LFPAK

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IRFI4510GPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2998pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SPB21N10T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 44µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP160N055TUJ-E2-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

BSO119N03S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN2004K-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

3214W-1-502E

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7447789133

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74438356150

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CLF7045T-2R2N

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FIXED IND 2.2UH 4.3A 14.6 MOHM

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SRU8043-100Y

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S14100038

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7M24000020

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ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

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CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD