NVMFS5C628NLAFT1G
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| Teilenummer | NVMFS5C628NLAFT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFS5C628NLAFT1G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 28A 150A 5DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.096 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 18 - Jan 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFS5C628NLAFT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFS5C628NLAFT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVMFS5C628NLAFT1G, NVMFS5C628NLAFT1G Datenblatt
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NVMFS5C628NLAFT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 28A (Ta), 150A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 135µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 78W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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