NVMFS5C612NLWFT3G
Nur als Referenz
Teilenummer | NVMFS5C612NLWFT3G |
PNEDA Teilenummer | NVMFS5C612NLWFT3G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.696 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NVMFS5C612NLWFT3G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NVMFS5C612NLWFT3G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
NVMFS5C612NLWFT3G, NVMFS5C612NLWFT3G Datenblatt
(Total Pages: 6, Größe: 129,83 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NVMFS5C612NLWFT3G Datasheet
- where to find NVMFS5C612NLWFT3G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFT3G
- NVMFS5C612NLWFT3G PDF Datasheet
- NVMFS5C612NLWFT3G Stock
- NVMFS5C612NLWFT3G Pinout
- Datasheet NVMFS5C612NLWFT3G
- NVMFS5C612NLWFT3G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NVMFS5C612NLWFT3G Price
- NVMFS5C612NLWFT3G Distributor
NVMFS5C612NLWFT3G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 36A (Ta), 235A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6660pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 74W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2760pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 79W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 830W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 57W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Paket / Fall PowerPAK® 1212-8S |