NVMFS4841NWFT1G
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| Teilenummer | NVMFS4841NWFT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFS4841NWFT1G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.016 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFS4841NWFT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFS4841NWFT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVMFS4841NWFT1G, NVMFS4841NWFT1G Datenblatt
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NVMFS4841NWFT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1436pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 112W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.9nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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