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NVMFD5C446NT1G

NVMFD5C446NT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5C446NT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5C446NT1G
Beschreibung 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.298
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NVMFD5C446NT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5C446NT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5C446NT1G, NVMFD5C446NT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 253,33 KB)
PDFNVMFD5C446NWFT1G Datenblatt Cover
NVMFD5C446NWFT1G Datenblatt Seite 2 NVMFD5C446NWFT1G Datenblatt Seite 3 NVMFD5C446NWFT1G Datenblatt Seite 4 NVMFD5C446NWFT1G Datenblatt Seite 5 NVMFD5C446NWFT1G Datenblatt Seite 6

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NVMFD5C446NT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2450pF @ 25V
Leistung - max3.2W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A, 570mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW, 83mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

CMRDM3575 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160mA, 140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.46nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 15V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-963

Lieferantengerätepaket

SOT-963

FDG6335N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

113pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.07nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

161pF @ 15V

Leistung - max

760mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

CMLDM5757 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

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