Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVMFD5875NLWFT1G

NVMFD5875NLWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5875NLWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5875NLWFT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.660
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVMFD5875NLWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5875NLWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5875NLWFT1G, NVMFD5875NLWFT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 132,09 KB)
PDFNVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Cover
NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Seite 2 NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Seite 3 NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Seite 4 NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Seite 5 NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Seite 6 NVMFD5875NLWFT3G Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVMFD5875NLWFT1G Datasheet
  • where to find NVMFD5875NLWFT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMFD5875NLWFT1G
  • NVMFD5875NLWFT1G PDF Datasheet
  • NVMFD5875NLWFT1G Stock

  • NVMFD5875NLWFT1G Pinout
  • Datasheet NVMFD5875NLWFT1G
  • NVMFD5875NLWFT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMFD5875NLWFT1G Price
  • NVMFD5875NLWFT1G Distributor

NVMFD5875NLWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds540pF @ 25V
Leistung - max3.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI1557DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.2A, 770mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

470mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

SH8K25GZ0TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

NX3008PBKV,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

NTZD3156CT2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

72pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

APTM20HM16FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Kürzlich verkauft

7447709680

7447709680

Wurth Electronics

FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

ADP125ARHZ-R7

ADP125ARHZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8MSOP

AD7495AR

AD7495AR

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 8SOIC

MAX3160EAP+T

MAX3160EAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

VLMRGB343-ST-UV-RS

VLMRGB343-ST-UV-RS

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RGB 4PLCC SMD

DG4157DL-T1-E3

DG4157DL-T1-E3

Vishay Siliconix

IC SWITCH SGL SPDT LV SC70-6

TS922IDT

TS922IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MIC29302BU

MIC29302BU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5

ISL80103IRAJZ

ISL80103IRAJZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 10DFN